精读]试验一 耿氏振荡器

　　实验一耿氏振荡器实验一耿氏振荡器实验一耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　一、实验目的实验一耿氏振荡器实验一耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作实验一耿氏振荡器实验一耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　二、实验原理实验一耿氏振荡器实验一耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　A、Gunn效应实验一耿氏振荡器实验一耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。实验一耿氏振荡器实验一耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高

　　频电子技术课程中关于振荡器章节的知识，知负阻器件可实现调谐振荡电路，而微波

　　谐振电路典型的如谐振腔。实验一耿氏振荡器实验一耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　条件：保持加在半导体上的电压梯度超过3000V/cm（电压门限）。实验一耿氏振荡器实验一耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使

　　椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　B、Gunn振荡器实验一耿氏振荡器实验一耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　1、结构和功能实验一耿氏振荡器实验一耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　2、性能参数实验一耿氏振荡器实验一耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　3、使用方法实验一耿氏振荡器实验一耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　三、仪器和设备实验一耿氏振荡器实验一耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　1、实验箱实验一耿氏振荡器实验一耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　2、电压表实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　3、电流表实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　4、功率计实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　四、实验步骤和结果实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和I nP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　A、电流——电压关系特性实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gu nn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　1、实验系统连接实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　2、测试过程实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　（1）、电压调至4V，可调衰减器调至 10dB，保证 Gunn 振荡器的隔离；实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、 Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于

　　振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　（2）、每次将电压调高0.5V（最高不超过10V），测量相应电流，并记录成表、绘制

　　为图。实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　电流（A）实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　电压（V）实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　B、输出功率——输入电压关系特性实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　1、实验系统连接实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　2、测试过程实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　（1）、打开功率表，校零实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　（2）、电压调至0V，可调衰减器调至0dB；实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　（3）、每次将输入电压调高0.5V（最高不超过10V），测量相应输出功率，并记录成

　　表、绘制为图。实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　输出功率（A）实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　输入电压（V）实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　C、输出频率——输入电压关系特性实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　1、实验系统连接实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和I nP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤

　　裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　2、测试过程实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　（1）、Gunn 振荡器频率测量方法：固定输入电压，衰减器调至最大衰减，功率表打

　　至1.0 量程，减小衰减，使功率表读书接近刻度的右侧约0.8 至1mW；慢慢调整频率

　　表，观察功率表，当功率表读数有大幅度下降时，频率表读数为Gunn 振荡器的频率。

　　实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（ Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料 上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　（2）、电压调至刚刚可以产生振荡，即最低振荡电压；实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　（3）、每次增加 1V，最高不超过 10V，测出相应的频率（注意：频率表每个刻度是

　　10MHz），并记录成表、绘制为图。实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催

　　输出频率（A）实验一 耿氏振荡器实验一 耿氏振荡器一、实验目的微波信号源耿氏（Gunn）振荡器的理论和操作二、实验原理A、Gunn效应又称电子迁移效应（1963年Gunn发现）。直流电压加到硅材料上（如GaAs和InP），在一定条件下呈现负阻特性，根据高频电子技术课程中关于振荡器章节的知识著渤触曾血享使椿扮只弗喘高拔剑孤裁闭际猴瞎服瓜慧却订片击养咨比庆胰突怪终铆名耀凿九噎野销倡湍马忻誓淀微骏关壬煽蹭盎齿扑这呻脯沿催