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国家知识产权局信息显示，贵州辰矽电子科技有限公司申请一项名为“一种集成异质结二极管的分裂栅MOSFET”的专利，公开号CN121419314A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供了一种集成异质结二极管的分裂栅MOSFET，涉及MOSFET器件技术领域，目的是实现更容易形成高品质的、导通压降低且开关损耗低的MOSFET器件，沟槽中包括多晶硅区和分裂栅结构；多晶硅区沉淀在沟槽内，分裂栅结构设置在多晶硅区的左上方凹槽内和右上方凹槽内；沟槽的底部设置有第一掺杂区，多晶硅区的底部与第一掺杂区接触；分裂栅结构包括第一栅氧化层、第二栅氧化层、第一多晶硅栅极和第二多晶硅栅极；第一多晶硅栅极的左侧、底部和右侧的外层包裹有第一栅氧化层，第二多晶硅栅极的左侧、底部和右侧的外层包裹有第二栅氧化层。本发明具有第三象限开启电压低、开关损耗低的优点。
天眼查资料显示，贵州辰矽电子科技有限公司，成立于2012年，位于贵阳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，贵州辰矽电子科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目5次，财产线条，此外企业还拥有行政许可3个。
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